硒化锗晶体 GeSe (Germaniumselenid)
晶体尺寸：~10毫米
电学性能：半导体
晶体结构：斜方晶系
晶胞参数： a = 0,383 nm, b = 0,440 nm, c = 1,078 nm, α = β = γ = 90°
晶体类型：合成
晶体纯度： ＞99.995%

Röntgenbeugung auf einem GeSe-Einkristall, der entlang der Ebene (100) ausgerichtet ist. XRD wurde bei Raumtemperatur mit einem D8 Venture Bruker durchgeführt. Die 4 XRD-Spitzen entsprechen von links nach rechts (h00) mit h = 2, 4, 6, 8

Pulver-Röntgenbeugung (XRD) eines Einkristalls GeSe. Die Röntgenbeugung wurde bei Raumtemperatur mit einem D8 Venture Bruker durchgeführt.

Stöchiometrische Analyse eines Einkristalls GeSe durch Energiedispersive Röntgenspektroskopie (EDX).

Raman-Spektrum eines Einkristalls GeSe. Die Messung wurde mit einem 785 nm Raman-System bei Raumtemperatur durchgeführt.