818-BB Verteilungsempfänger
Die Bias-Optodetektoren der Serie 818-BB sind ein kostengünstiges Diagnosewerkzeug für eine Vielzahl von Hochgeschwindigkeitsanwendungen, wie zum Beispiel die Anzeige von Signalen von Q-Tuning-, Lock-Forms- oder Schnellmodulationslasern sowie die Ausrichtung von Pikosekundenlasern.
Silizium-, UV-Silizium-, GaAs- und InGaAs-Versionen
Anstiegszeit bis zu 35 ps
Verstärkungsdetektor mit bis zu 26 dB Gewinn
Optische Faserkoppelungsoptionen erleichtern die Ausrichtung
Vergleich |
Modellnummer |
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818-BB-21Partial-Spannung-Optodetektor, 300-1100 nm, Silizium, 1,2 GHz
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818-BB-27Partial-Spannung-Optodetektor, 200-1100nm, Silizium, 200 MHz
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818-BB-30Halbspannungs-optischer Detektor, 1000-1600nm, InGaAs, 2 GHz
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818-BB-31Halbspannungsdetektor, 1000-1600nm, InGaAs, 1,5 GHz, FC-Eingangsstecker
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818-BB-35Halbspannungs-optischer Detektor, 1000-1650nm, InGaAs, 12,5 GHz
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818-BB-36Halbspannungs-optischer Detektor, 1475–2100 nm, erweiterte InGaAs, 12,5 GHz
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818-BB-36FHalbspannungs-optischer Detektor, 1475-2100 nm, erweiterte InGaAs, 12,5 GHz, FC/UPC
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818-BB-40Halbspannungs-optischer Detektor, 300-1100nm, Silizium, 25 MHz
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818-BB-45Halbspannungsdetektor, 400-900nm, GaAs, 12,5 GHz
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818-BB-45AFVerstärkter Halbspannungsdetektor, Wechselstromkopplung, 400-900nm, GaAs, 9 GHz, FC/UPC
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Produktspezifikationen
Silicon Photodetectors
Modellnummer |
![]() 818-BB-21 |
![]() 818-BB-27 |
![]() 818-BB-40 |
Detektormaterial |
Silicon |
UV Enhanced Silicon |
Silicon |
Verspannung/Verspannung |
9 V |
24 V |
24 V |
Detektortyp |
PIN |
PIN |
PIN |
Detektordurchmesser |
0.4 mm |
2.55 mm |
4.57 mm |
Empfangswinkel |
10° |
50° |
60° |
Wellenlängenbereich |
300-1100 nm |
200-1100 nm |
350-1100 nm |
3 dB Bandbreite |
|||
Aufstiegszeit |
<300 ps |
3ns |
<30 ns |
Reaktionsfähigkeit |
0.47 A/W @ 830 nm |
0.56 A/W @ 830 nm |
0.6 A/W @ 830 nm |
Ausgangsverbinder |
BNC |
BNC |
BNC |
NEP |
<0.01 pW/√Hz |
<0.1 pW/√Hz |
<0.09 pW/√Hz |
Sättigungsstrom |
3 mA |
2.5 mA |
2 mA |
Verbindungskondensator |
<1.5 pF |
<25 pF |
<45 pF |
Umkehrspannung |
20 V |
150 V |
50 V |
Gewindetyp |
8-32 and M4 |
8-32 and M4 |
8-32 and M4 |
GaAs and InGaAs Photodetectors
Modellnummer |
![]() 818-BB-30 |
![]() 818-BB-31 |
![]() 818-BB-35 |
![]() 818-BB-45 |
![]() 818-BB-51 |
Detektormaterial |
InGaAs |
InGaAs |
InGaAs |
GaAs |
Extended InGaAs |
Verspannung/Verspannung |
6 V |
6 V |
6 V |
3 V |
3 V |
Detektortyp |
PIN |
PIN |
PIN |
PIN |
PIN |
Detektordurchmesser |
0.1 mm |
0.1 mm |
0.032 mm |
0.040 mm |
|
Empfangswinkel |
20° |
20° |
30° |
15° |
20° |
Wellenlängenbereich |
1000-1600 nm |
1000-1600 nm |
1000-1650 nm |
500-890 nm |
830-2150 nm |
3 dB Bandbreite |
DC to 2 GHz |
DC to 2 GHz |
DC to 15 GHz |
DC to 12.5 GHz |
DC to 10 GHz |
Aufstiegszeit |
175 ps |
175 ps |
25 ps |
30 ps |
28 ps |
Reaktionsfähigkeit |
0.8 A/W @ 1300 nm |
0.9 A/W @ 1300 nm |
0.88 A/W @ 1550 nm |
0.53 A/W @ 830 nm |
1.3 A/W @ 2.0 µm |
Ausgangsverbinder |
BNC |
BNC |
SMA |
SMA |
SMA |
NEP |
<0.1 pW/√Hz |
0.1 pW/√Hz |
<0.04 pW/√Hz |
<0.02 pW/√Hz at 830 nm |
<0.44 pW/√Hz @ 2000 nm |
Sättigungsstrom |
5 mA |
10 mA |
10 mA |
10 mA |
|
Verbindungskondensator |
<0.75 pF |
<1.25 pF |
<0.12 pF |
<0.3 pF |
|
Umkehrspannung |
25 V |
25 V |
25 V |
30 V |
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Gewindetyp |
8-32 and M4 |
8-32 and M4 |
8-32 and M4 |
8-32 and M4 |
8-32 and M4 |
Eigenschaften
Silizium-Version und ViolettAußenverstärktes SiliziumVersionen
818-BB-20、 Die -21 und -40 bestehen aus Siliziumdetektoren mit freiem Raum, kleiner Fläche und großer Fläche mit Anstiegszeiten zwischen 300 ps und 1,5 ns. Abgesehen vom 818-BB-40 verfügt jedes Gerät über eine eingebaute Partition-Stromversorgung, bestehend aus einer Standard-3 V-Lithiumbatterie und einem 50 Ohm BNC-Stecker-Ausgang. Die Batterie kann leicht ausgetauscht werden und die Trennung der Verbindung des Detektors mit dem Oszilloskopeingang verlängert die Lebensdauer der Batterie, wenn sie nicht verwendet wird. Der 818-BB-40 wird mit einer externen Stromversorgung von 24 VDC geliefert. 818-BB-27durch VerbesserungDer Siliziumdetektor mit UV-Reaktion ist daher ideal für Nd: YAG, Nd: YLF oder andere Palladium-Glaslaser mit vierfach harmonischen und quasi-molekularen Lasern geeignet. Darüber hinaus sind seine breite Wirkfläche und schnelle Reaktionszeit zu einem allgemeinen Biasdetektor im Bereich von 200 bis 1100 nm. Für eine schnelle Reaktion ist der Detektor mit einer externen Stromversorgung von 24 VDC ausgestattet.
UV-Enhanced Silicon Free Space Detector
The 818-BB-27 consists of a silicon detector with an enhanced ultraviolet response, making it well suited for the fourth harmonic Nd:YAG, YLF or Glass Lasers and Excimer Lasers. Additionally, its large active area and fast response time make it an excellent general-purpose biased detector for the 200 to 1100 nm wavelength region. To attain its fast response, this detector comes with a 24 VDC external power supply.
InGaAs Free Space Detectors
The 818-BB-30, -31, and -35
consist of free-space, small and large area
InGaAs detectors, with rise times ranging from 300 ps to 1.5 ns for covering the 1000-1600 nm wavelength range. Each unit includes a built-in bias supply consisting of standard 3 V lithium cells and a 50 ohm BNC connector output. The 818-BB-51 features an extended InGaAs photodetector with a wavelength range of
1475–2100 nm.
GaAs- und InGaAs-Versionen
818-BB-30、 -31, -35, -45 und -51 bestehen aus freien Raum-, kleinen und großen Flächen-GaAs- oder InGaAs-Detektoren mit Anstiegszeiten zwischen 300 ps und 1,5 ns. Jedes Gerät enthält eine eingebaute Verspannungsquelle, die aus einer Standard-3 V-Lithiumbatterie und einem 50 Ohm BNC-Stecker-Ausgang besteht. Die Batterie kann leicht ausgetauscht werden und die Trennung der Verbindung des Detektors mit dem Oszilloskopeingang verlängert die Lebensdauer der Batterie, wenn sie nicht verwendet wird.
Optische Montage
Die 8-32 Gewindebohrungen an der Unterseite des Optikempfängers 818-BB können zur Montage von optischen Anschlüssen verwendet werden.
Achten Sie auf ESD-Schutz
Diese Detektoren sind sehr anfällig für Schäden durch elektrostatische Freisetzung (ESD). Verwenden Sie beim Entpacken und Betrieb dieser Geräte ESD-Schutzmaßnahmen wie FK-STRAP.
Anstiegszeit bis zu 25 ps
Die Optodiodendetektormodule 818-BB-35 und 818-BB-45 bieten eine kostengünstige Lösung für die ultraschnelle Messung von 12,5 GHz-Bandbreiten. Diese Detektoren eignen sich für Anwendungen mit Q-Tuning und Ultra-Fast-Laser-Ausgangsanalysen, die eine Detektoraufstiegzeit von <25 ps (für den 818-BB-45 <30 ps) erfordern. Diese Detektoren verwenden auch eine 3 V Lithiumbatterie (erhältlich).